IXTY08N120P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTY08N120P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTY08N120P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTY08N120P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXTY08N120P
- رقم القطعة:
- IXTY08N120P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53390 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXTY08N120P.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1200V 8A (Tc) Through Hole TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTY08N120P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY01N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | تحقيق |
|
IXTY08N100D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | تحقيق |
|
IXTY18P10T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY02N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | تحقيق |
|
IXTY12N06TTRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY08N50D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | تحقيق |
|
IXTY02N50D | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | تحقيق |
|
IXTY02N50D TRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXTY15P15T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY12N06T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY15N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY06N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY1N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY08N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | تحقيق |
|
IXTY1N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY01N100D | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY01N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY1N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | تحقيق |
 |
IXTX90P20P | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247 | تحقيق |
|
IXTY10P15T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة