IXTY02N50D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTY02N50D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTY02N50D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTY02N50D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXTY02N50D
- رقم القطعة:
- IXTY02N50D
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36902 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXTY02N50D.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 120pF @ 25V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTY02N50D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTX60N50L2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247 | تحقيق |
 |
IXTY08N50D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | تحقيق |
|
IXTY02N50D TRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXTY01N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | تحقيق |
|
IXTX90P20P | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247 | تحقيق |
 |
IXTX6N200P3HV | IXYS Corporation | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
|
IXTY08N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | تحقيق |
|
IXTX90N25L2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247 | تحقيق |
|
IXTY01N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | تحقيق |
|
IXTY01N100D | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY15N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY06N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | تحقيق |
|
IXTX600N04T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247 | تحقيق |
|
IXTX8N150L | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247 | تحقيق |
|
IXTY12N06TTRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY02N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | تحقيق |
|
IXTY12N06T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY08N100D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | تحقيق |
|
IXTY10P15T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | تحقيق |
 |
IXTY08N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي