IXTV02N250S متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTV02N250S، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTV02N250S عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTV02N250S مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXTV02N250S
- رقم القطعة:
- IXTV02N250S
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24950 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXTV02N250S.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS-220SMD |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 450 Ohm @ 50mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 83W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | PLUS-220SMD |
| اسماء اخرى: | Q4965894 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 116pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7.4nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 2500V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 2500V 200mA (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTV02N250S
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTU8N70X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 | تحقيق |
 |
IXTU55N075T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 75V 55A TO-251 | تحقيق |
 |
IXTU5N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 | تحقيق |
|
IXTU08N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | تحقيق |
 |
IXTV200N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTU1R4N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 | تحقيق |
|
IXTU2N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-251 | تحقيق |
|
IXTV03N400S | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 | تحقيق |
|
IXTV102N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 | تحقيق |
 |
IXTV200N10TS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD | تحقيق |
|
IXTV102N25T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTV120N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTU12N06T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU64N055T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 55V 64A TO-251 | تحقيق |
 |
IXTV110N25TS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD | تحقيق |
|
IXTV18N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTV18N60PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD | تحقيق |
|
IXTU50N085T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 85V 50A TO-251 | تحقيق |
|
IXTV130N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTU44N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 44A TO-251 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار