IXTU50N085T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTU50N085T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTU50N085T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTU50N085T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXTU50N085T
- رقم القطعة:
- IXTU50N085T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 85V 50A TO-251
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49948 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXTU50N085T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 25µA |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 85V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 85V 50A (Tc) Through Hole TO-251 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTU50N085T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTU44N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 44A TO-251 | تحقيق |
 |
IXTV03N400S | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 | تحقيق |
|
IXTU64N055T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 55V 64A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU1R4N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 | تحقيق |
|
IXTU02N50D | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU2N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-251 | تحقيق |
|
IXTV102N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 | تحقيق |
 |
IXTV110N25TS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD | تحقيق |
 |
IXTU8N70X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 | تحقيق |
|
IXTU05N120 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU08N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU05N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | تحقيق |
|
IXTU01N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | تحقيق |
|
IXTV02N250S | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTV120N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTV102N25T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTU5N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 | تحقيق |
|
IXTU06N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU55N075T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 75V 55A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU12N06T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-251 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة