IXK611S1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXK611S1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXK611S1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXK611S1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXK611S1
- رقم القطعة:
- IXK611S1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24697 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXK611S1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | - |
| نوع البوابة: | - |
| تكوين مدفوعة: | - |
| وصف تفصيلي: | Gate Driver IC 8-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | - |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | - |
| رقم جزء القاعدة: | IX*611 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXK611S1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXKH20N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD | تحقيق |
 |
IXKC19N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IXKK85N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 | تحقيق |
|
IXKC20N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXKH47N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | تحقيق |
|
IXKC13N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IXKN40N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B | تحقيق |
|
IXKC25N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXKH35N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD | تحقيق |
|
IXK611S1T/R | IXYS Corporation | IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC | تحقيق |
|
IXKC23N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXKH70N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD | تحقيق |
|
IXK611P1 | IXYS Corporation | IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8DIP | تحقيق |
|
IXKG25N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 | تحقيق |
|
IXKH30N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD | تحقيق |
|
IXKH24N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD | تحقيق |
|
IXKC15N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXKF40N60SCD1 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 | تحقيق |
|
IXKC40N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXKN45N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU