IXKH24N60C5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXKH24N60C5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXKH24N60C5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXKH24N60C5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXKH24N60C5
- رقم القطعة:
- IXKH24N60C5
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36738 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXKH24N60C5.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 790µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXKH) |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 165 mOhm @ 12A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3 Full Pack |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2000pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 52nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Super Junction |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 600V 24A (Tc) Through Hole TO-247AD (IXKH) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXKH24N60C5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXKH30N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD | تحقيق |
 |
IXKC19N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IXKN75N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B | تحقيق |
|
IXKH20N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD | تحقيق |
|
IXKN45N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B | تحقيق |
|
IXKH70N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD | تحقيق |
|
IXKF40N60SCD1 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 | تحقيق |
|
IXKC25N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXKH35N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD | تحقيق |
|
IXKC13N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IXKP10N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB | تحقيق |
|
IXKG25N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 | تحقيق |
|
IXKC40N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXKC15N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IXKK85N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 | تحقيق |
|
IXKN40N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B | تحقيق |
|
IXKC23N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXKC20N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IXKP10N60C5M | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP | تحقيق |
|
IXKH47N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل