IXFR12N100 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFR12N100، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFR12N100 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFR12N100 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFR12N100
- رقم القطعة:
- IXFR12N100
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41380 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFR12N100.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 4mA |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.1 Ohm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS247™ |
| اسماء اخرى: | Q1157068A |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2900pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 90nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1000V 10A (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFR12N100
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ72N20X3 | IXYS Corporation | 200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
|
IXFQ72N30X3 | IXYS Corporation | 300V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
 |
IXFR150N15 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFQ90N20X3 | IXYS Corporation | 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
|
IXFR102N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR100N25 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR120N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR140N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR140N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR10N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR13N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR15N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR15N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFQ60N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 60A TO3P | تحقيق |
 |
IXFR15N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFQ94N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P | تحقيق |
|
IXFR12N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR12N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFQ60N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 60A TO3P | تحقيق |
|
IXFR14N100Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي