IXFQ94N30P3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFQ94N30P3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFQ94N30P3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFQ94N30P3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFQ94N30P3
- رقم القطعة:
- IXFQ94N30P3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27892 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFQ94N30P3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 4mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 36 mOhm @ 47A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1040W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5510pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 102nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 300V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 300V 94A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 94A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFQ94N30P3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ34N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P | تحقيق |
 |
IXFR10N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFQ50N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ50N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 50A TO3P | تحقيق |
|
IXFR140N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFQ60N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P | تحقيق |
|
IXFQ60N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 60A TO3P | تحقيق |
|
IXFR120N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR100N25 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR13N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR12N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR12N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFQ60N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 60A TO3P | تحقيق |
|
IXFR102N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFQ72N20X3 | IXYS Corporation | 200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
|
IXFR12N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFQ72N30X3 | IXYS Corporation | 300V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
|
IXFQ90N20X3 | IXYS Corporation | 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
|
IXFQ50N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 50A TO3P | تحقيق |
|
IXFR140N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار