IXFK400N15X3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFK400N15X3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFK400N15X3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFK400N15X3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFK400N15X3
- رقم القطعة:
- IXFK400N15X3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET 150V 400A TO-264
- كمية المخزون:
- 22247 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFK400N15X3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 8mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 mOhm @ 200A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1250W (Tc) |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 23.7nF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 365nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 150V 400A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 400A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFK400N15X3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFK36N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK44N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK44N50F | IXYS RF | MOSFET N-CH 500V 44A TO264 | تحقيق |
|
IXFK44N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK360N15T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 360A TO264 | تحقيق |
|
IXFK44N55Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264 | تحقيق |
|
IXFK44N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK420N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK32N80Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK44N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK38N80Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK33N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK44N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK44N80Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK34N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK32N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 32A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK40N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-264 | تحقيق |
|
IXFK36N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK35N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK360N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 360A TO-264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة