IXFK34N80 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFK34N80، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFK34N80 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFK34N80 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFK34N80
- رقم القطعة:
- IXFK34N80
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36870 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFK34N80.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264AA (IXFK) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 240 mOhm @ 17A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 560W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 270nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 800V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFK34N80
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFK40N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-264 | تحقيق |
|
IXFK400N15X3 | IXYS Corporation | MOSFET 150V 400A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK32N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK32N80Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK360N15T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 360A TO264 | تحقيق |
|
IXFK32N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK32N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 32A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK420N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK38N80Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK32N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK32N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 32A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK44N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK36N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK30N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 30A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK36N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK320N17T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 320A TO264 | تحقيق |
|
IXFK32N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK33N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK35N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK360N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 360A TO-264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل