IXFH1837 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFH1837، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFH1837 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFH1837 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFH1837
- رقم القطعة:
- IXFH1837
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH TO-247AD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51776 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFH1837.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | * |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH1837
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH20N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH18N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH16N90Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH20N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH18N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH16N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH20N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH18N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-247 | تحقيق |
|
IXFH18N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH16N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH20N60Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH16N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH16N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH170N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH170N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 170A TO247 | تحقيق |
|
IXFH20N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH180N20X3 | IXYS Corporation | 200V/180A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
 |
IXFH1799 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH17N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH20N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل