IXFH16N50P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFH16N50P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFH16N50P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFH16N50P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFH16N50P
- رقم القطعة:
- IXFH16N50P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53216 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFH16N50P.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 2.5mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXFH) |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 400 mOhm @ 8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 611778 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2250pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 43nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 500V 16A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH16N50P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH1837 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-247AD | تحقيق |
 |
IXFH17N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH160N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH160N15T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH15N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH15N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH15N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH1799 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH16N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH16N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH15N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH16N90Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH170N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 170A TO247 | تحقيق |
|
IXFH16N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH170N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH15N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH15N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH16N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH15N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH180N20X3 | IXYS Corporation | 200V/180A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل