FMM-22S متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FMM-22S، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FMM-22S عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FMM-22S مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FMM-22S
- رقم القطعة:
- FMM-22S
- الصانع:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- وصف:
- DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220F
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45201 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FMM-22S.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 5A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220F |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 Full Pack |
| اسماء اخرى: | FMM-22S DK |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 10A Through Hole TO-220-2 Full Pack |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 200V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 10A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFMM-22S
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FMM-24R | Sanken Electric Co., Ltd. | DIODE ARRAY GP 400V 10A TO220F | تحقيق |
 |
FMM22-05PF | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC | تحقيق |
|
FMM65-015P | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5 | تحقيق |
 |
FMMT2222ATA | Diodes Incorporated | TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 | تحقيق |
|
FMM60-02TF | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC | تحقيق |
|
FMM110-015X2F | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC | تحقيق |
|
FMM75-01F | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 | تحقيق |
|
FMM150-0075X2F | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5 | تحقيق |
|
FMM-26R | Sanken Electric Co., Ltd. | DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220F | تحقيق |
|
FMM-24S | Sanken Electric Co., Ltd. | DIODE ARRAY GP 400V 10A TO220F | تحقيق |
|
FMMT2907ATA | Diodes Incorporated | TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 | تحقيق |
|
FMM150-0075P | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5 | تحقيق |
 |
FMMS1 | Carlo Gavazzi | SEN PROX MAG CO | تحقيق |
|
FMM300-0055P | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC-5 | تحقيق |
|
FMM-26S | Sanken Electric Co., Ltd. | DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220F | تحقيق |
|
FMM-22R | Sanken Electric Co., Ltd. | DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220F | تحقيق |
|
FMMA3 | Carlo Gavazzi | SEN PROX MAG NO | تحقيق |
|
FMM22-06PF | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC | تحقيق |
|
FMMD914TA | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 75MA SOT23-3 | تحقيق |
|
FMM50-025TF | IXYS Corporation | MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل