العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف > FMM50-025TF
FMM50-025TF
رقم القطعة:
FMM50-025TF
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
20906 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
FMM50-025TF.pdf
تحقيق

المقدمة

FMM50-025TF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FMM50-025TF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FMM50-025TF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FMM50-025TF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS i4-PAC™
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:50 mOhm @ 25A, 10V
السلطة - ماكس:125W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:i4-Pac™-5
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:28 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:78nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Standard
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):250V
وصف تفصيلي:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 250V 30A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A
رقم جزء القاعدة:FMM
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFMM50-025TF

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
FMM75-01F IXYS Corporation MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 تحقيق
FMM22-06PF IXYS Corporation MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC تحقيق
FMMA3 Carlo Gavazzi SEN PROX MAG NO تحقيق
FMM150-0075X2F IXYS Corporation MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5 تحقيق
FMMT2907ATA Image FMMT2907ATA Diodes Incorporated TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 تحقيق
FMM-26S Image FMM-26S Sanken Electric Co., Ltd. DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220F تحقيق
FMMD914TA Image FMMD914TA Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 75V 75MA SOT23-3 تحقيق
FMMT38CTA Image FMMT38CTA Diodes Incorporated TRANS NPN DARL 60V 0.3A SOT23-3 تحقيق
FMMT2222ATA Image FMMT2222ATA Diodes Incorporated TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 تحقيق
FMM150-0075P IXYS Corporation MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5 تحقيق
FMMS1 Carlo Gavazzi SEN PROX MAG CO تحقيق
FMM22-05PF IXYS Corporation MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC تحقيق
FMM-26R Image FMM-26R Sanken Electric Co., Ltd. DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220F تحقيق
FMM-24S Image FMM-24S Sanken Electric Co., Ltd. DIODE ARRAY GP 400V 10A TO220F تحقيق
FMM60-02TF IXYS Corporation MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC تحقيق
FMM110-015X2F IXYS Corporation MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC تحقيق
FMM65-015P IXYS Corporation MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5 تحقيق
FMM300-0055P IXYS Corporation MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC-5 تحقيق
FMM-24R Image FMM-24R Sanken Electric Co., Ltd. DIODE ARRAY GP 400V 10A TO220F تحقيق
FMMT38CTC Image FMMT38CTC Diodes Incorporated TRANS NPN DARL 60V 0.3A SOT23-3 تحقيق

Latest الأخبار