FFSH20120ADN-F155 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FFSH20120ADN-F155، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FFSH20120ADN-F155 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FFSH20120ADN-F155 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FFSH20120ADN-F155
- رقم القطعة:
- FFSH20120ADN-F155
- وصف:
- DIODE SIC 1200V 10A TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40556 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FFSH20120ADN-F155.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.75V @ 10A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | FFSH20120ADN_F155 FFSH20120ADN_F155-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200µA @ 1200V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 10A (DC) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFFSH20120ADN-F155
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل