FFSH20120ADN-F085 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FFSH20120ADN-F085، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FFSH20120ADN-F085 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FFSH20120ADN-F085 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FFSH20120ADN-F085
- رقم القطعة:
- FFSH20120ADN-F085
- وصف:
- 1200V 20A AUTO SIC SBD
- كمية المخزون:
- 24112 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FFSH20120ADN-F085.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| حالة خالية من الرصاص: | Lead free |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 15A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 15A (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 612pF @ 1V, 100kHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFFSH20120ADN-F085
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل