DSEI2X101-12A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSEI2X101-12A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSEI2X101-12A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSEI2X101-12A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSEI2X101-12A
- رقم القطعة:
- DSEI2X101-12A
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE MODULE 1.2KV 91A SOT227B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50216 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSEI2X101-12A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.87V @ 100A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 150ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| اسماء اخرى: | DSEI2X10112A Q1298691 |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 2 Independent |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 2 Independent Standard 1200V 91A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 3mA @ 1200V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 91A |
| رقم جزء القاعدة: | DSEI2X |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEI2X101-12A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI2X101-06P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 96A ECO-PAC2 | تحقيق |
 |
DSEI19-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | تحقيق |
 |
DSEI2X30-10B | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1KV 30A SOT227B | تحقيق |
 |
DSEI12-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC | تحقيق |
|
DSEI2X30-04C | IXYS Corporation | DIODE MODULE 400V 30A SOT227B | تحقيق |
|
DSEI12-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | تحقيق |
 |
DSEI120-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI2X161-12P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 128A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
DSEI2X101-12P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 91A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
DSEI2X121-02P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 200V 123A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
DSEI2X161-06P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 147A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
DSEI2X30-06C | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 30A SOT227B | تحقيق |
|
DSEI19-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | تحقيق |
|
DSEI20-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC | تحقيق |
|
DSEI2X161-02P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 200V 165A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
DSEI2X121-02A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 200V 123A SOT227B | تحقيق |
|
DSEI2X30-06P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 30A ECO-PAC1 | تحقيق |
|
DSEI120-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI12-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC | تحقيق |
|
DSEI2X101-06A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 96A SOT227B | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار