DSEI120-12A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSEI120-12A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSEI120-12A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSEI120-12A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSEI120-12A
- رقم القطعة:
- DSEI120-12A
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27536 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSEI120-12A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 70A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 60ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-2 |
| اسماء اخرى: | DSEI12012A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 1200V 75A Through Hole TO-247AD |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 3mA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 75A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEI120-12A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI2X121-02A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 200V 123A SOT227B | تحقيق |
 |
DSEI20-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC | تحقيق |
 |
DSEI19-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | تحقيق |
|
DSEI2X101-06A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 96A SOT227B | تحقيق |
|
DSEI 2X61-02A | IXYS | DIODE MODULE 200V 71A SOT227B | تحقيق |
 |
DSEE8-08CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 800V 10A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
DSEE6-06CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 6A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
DSEI2X101-06P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 96A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
DSEI12-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC | تحقيق |
 |
DSEI120-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI12-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC | تحقيق |
|
DSEI2X121-02P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 200V 123A ECO-PAC2 | تحقيق |
 |
DSEE30-12A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI19-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | تحقيق |
|
DSEI2X161-02P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 200V 165A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
DSEE8-06CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 10A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
DSEI2X101-12P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 91A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
DSEI2X101-12A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 91A SOT227B | تحقيق |
|
DSEE55-24N1F | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 60A I4PAC | تحقيق |
|
DSEI12-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة