DMG8880LK3-13 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DMG8880LK3-13، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DMG8880LK3-13 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DMG8880LK3-13 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DMG8880LK3-13
- رقم القطعة:
- DMG8880LK3-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50438 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DMG8880LK3-13.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.3 mOhm @ 11.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.68W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | DMG8880LK3-13DICT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1289pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 27.6nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 30V 11A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG8880LK3-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG7702SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | تحقيق |
 |
DMG963H10R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | تحقيق |
|
DMG963HD0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | تحقيق |
 |
DMG7N65SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB | تحقيق |
|
DMG7401SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 | تحقيق |
|
DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI | تحقيق |
|
DMG963H50R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | تحقيق |
|
DMG963020R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | تحقيق |
|
DMG963030R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | تحقيق |
|
DMG8N65SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB | تحقيق |
|
DMG8822UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP | تحقيق |
|
DMG7N65SCTI | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB | تحقيق |
|
DMG963010R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | تحقيق |
 |
DMG904010R | Panasonic | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6 | تحقيق |
 |
DMG8880LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | تحقيق |
|
DMG7702SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI | تحقيق |
|
DMG7N65SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251 | تحقيق |
|
DMG963HC0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | تحقيق |
|
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | تحقيق |
 |
DMG8601UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل