العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف > DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7
رقم القطعة:
DMG8601UFG-7
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
22000 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
DMG8601UFG-7.pdf
تحقيق

المقدمة

DMG8601UFG-7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DMG8601UFG-7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DMG8601UFG-7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DMG8601UFG-7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.05V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:U-DFN3030-8
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
السلطة - ماكس:920mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerUDFN
اسماء اخرى:DMG8601UFG-7DITR
DMG8601UFG7
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:143pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8.8nC @ 4.5V
نوع FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف تفصيلي:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6.1A
رقم جزء القاعدة:DMG8601UFG
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لDMG8601UFG-7

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP تحقيق
DMG7N65SCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB تحقيق
DMG8880LK3-13 Image DMG8880LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L تحقيق
DMG963030R Image DMG963030R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 تحقيق
DMG963010R Image DMG963010R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 تحقيق
DMG7N65SCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB تحقيق
DMG7702SFG-7 Image DMG7702SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 تحقيق
DMG7401SFGQ-13 Image DMG7401SFGQ-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 تحقيق
DMG963H10R Image DMG963H10R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 تحقيق
DMG7401SFG-7 Image DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 تحقيق
DMG7408SFG-7 Image DMG7408SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI تحقيق
DMG7430LFG-7 Image DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 تحقيق
DMG963H50R Image DMG963H50R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 تحقيق
DMG7N65SJ3 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251 تحقيق
DMG7702SFG-13 Image DMG7702SFG-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI تحقيق
DMG904010R Image DMG904010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6 تحقيق
DMG8N65SCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB تحقيق
DMG8880LSS-13 Image DMG8880LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC تحقيق
DMG7401SFGQ-7 Image DMG7401SFGQ-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 تحقيق
DMG963020R Image DMG963020R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 تحقيق

Latest الأخبار