CS25B1937 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CS25B1937، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CS25B1937 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CS25B1937 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CS25B1937
- رقم القطعة:
- CS25B1937
- الصانع:
- Leader Tech Inc.
- وصف:
- FERRITE 305OHM HINGED 10.80MM
- كمية المخزون:
- 43882 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CS25B1937.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Round |
| سلسلة: | - |
| تصنيفات: | - |
| البعد الخارجي: | 1.189" Dia (30.20mm) |
| تصاعد نوع: | Free Hanging |
| مادة: | 25 |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الطول: | 1.181" (30.00mm) |
| البعد الداخلي: | 0.425" Dia (10.80mm) |
| مقاومة @ التردد: | 305 Ohm @ 700MHz |
| وصف تفصيلي: | Hinged (Snap On) Free Hanging Ferrite Core 305 Ohm @ 700MHz ID 0.425" Dia (10.80mm) OD 1.189" Dia (30.20mm) Length 1.181" (30.00mm) |
| تصميم: | Hinged (Snap On) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCS25B1937
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل