CS241250 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CS241250، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CS241250 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CS241250 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CS241250
- رقم القطعة:
- CS241250
- الصانع:
- Powerex, Inc.
- وصف:
- DIODE GP 1.2KV 50A POWRBLOK
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 32788 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CS241250.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.5V @ 50A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | POW-R-BLOK™ Module |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 800ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | POW-R-BLOK™ Module |
| اسماء اخرى: | 835-1102 CS241250-ND |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 1200V 50A (DC) Chassis Mount POW-R-BLOK™ Module |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10mA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 50A (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCS241250
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CS2300P-EZZR | Cirrus Logic | IC - GENERAL PURPOSE PLL CRYSTAL | تحقيق |
 |
CS25B1937 | Leader Tech Inc. | FERRITE 305OHM HINGED 10.80MM | تحقيق |
|
CS25B1500 | Leader Tech Inc. | FERRITE 510OHM HINGED 24.40MM | تحقيق |
|
CS25B0937 | Leader Tech Inc. | FERRITE CORE SNAP 0.425" DIA | تحقيق |
|
CS25B1642 | Leader Tech Inc. | FERRITE 290OHM HINGED 7.20MM | تحقيق |
 |
CS2841BEBN8G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | IC REG CTRLR BOOST/FLYBACK 8DIP | تحقيق |
 |
CS241020 | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 200A POWRBLOK | تحقيق |
 |
CS2300P-DZZR | Cirrus Logic | IC CLK MULT OTP LCO 10-MSOP | تحقيق |
 |
CS240610 | Powerex, Inc. | DIODE GP 600V 100A POWRBLOK | تحقيق |
|
CS2300P-EZZ | Cirrus Logic | IC - GENERAL PURPOSE PLL CRYSTAL | تحقيق |
|
CS2841BED14 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | IC REG CTRLR BOOST/FLYBK 14SOIC | تحقيق |
|
CS25B2000 | Leader Tech Inc. | FERRITE 890OHM HINGED 24.40MM | تحقيق |
|
CS2841BEBN8 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | IC REG CTRLR BOOST/FLYBACK 8DIP | تحقيق |
|
CS2300P-CZZR | Cirrus Logic | IC CLK MULT OTP LCO 10-MSOP | تحقيق |
|
CS2300P-CZZ | Cirrus Logic | IC CLK MULT FRACT-N W/LCO 10MSOP | تحقيق |
|
CS25B0642 | Leader Tech Inc. | FERRITE CORE SNAP 0.3" DIA | تحقيق |
|
CS2300P-DZZ | Cirrus Logic | IC CLK MULT OTP LCO 10-MSOP | تحقيق |
 |
CS240650 | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 50A POWRBLOK | تحقيق |
 |
CS241210 | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.2KV 100A POWRBLOK | تحقيق |
|
CS25B4000 | Leader Tech Inc. | FERRITE 590OHM HINGED 49.80MM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل