CP210-2N4416-CT20 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CP210-2N4416-CT20، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CP210-2N4416-CT20 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CP210-2N4416-CT20 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CP210-2N4416-CT20
- رقم القطعة:
- CP210-2N4416-CT20
- الصانع:
- Central Semiconductor
- وصف:
- TRANS JFET NCH 1=20PCS
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51992 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.CP210-2N4416-CT20.pdf2.CP210-2N4416-CT20.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد: | 6V @ 1nA |
| الجهد - توزيع (V (BR) جهاز الأمن العام): | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | CP210-2N4416-CT20 PBFREE |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4pF @ 15V |
| نوع FET: | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | JFET N-Channel 30V Surface Mount Die |
| الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0): | 5mA @ 20V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCP210-2N4416-CT20
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار