CP206-2N4393-CT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CP206-2N4393-CT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CP206-2N4393-CT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CP206-2N4393-CT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CP206-2N4393-CT
- رقم القطعة:
- CP206-2N4393-CT
- الصانع:
- Central Semiconductor
- وصف:
- JFET N-CH SW/CHOPPER CHIP 1=400
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28738 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CP206-2N4393-CT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد: | 500mV @ 1nA |
| الجهد - توزيع (V (BR) جهاز الأمن العام): | 40V |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | - |
| المقاومة - RDS (على): | 100 Ohms |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | CP206-2N4393-CT PBFREE CP2062N4393CT |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 14pF @ 20V |
| نوع FET: | N-Channel |
| وصف تفصيلي: | JFET N-Channel 40V Surface Mount Die |
| الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0): | 5mA @ 20V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCP206-2N4393-CT
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار