CGB4B3X6S1A225K055AB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CGB4B3X6S1A225K055AB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CGB4B3X6S1A225K055AB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CGB4B3X6S1A225K055AB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CGB4B3X6S1A225K055AB
- رقم القطعة:
- CGB4B3X6S1A225K055AB
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- CAP CER 2.2UF 10V X6S 0805
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27208 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| الجهد - تقييمه: | 10V |
| تسامح: | 2.2µF |
| سمك (ماكس): | X6S |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| سلسلة: | CGB |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تموج الحالي - التردد المنخفض: | General Purpose |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 0805 (2012 Metric) |
| اسماء اخرى: | 445-13272-2 CGB4B3X6S1A225KT000N |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount, MLCC |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | CGB4B3X6S1A225K055AB |
| قيادي نمط: | 0.022" (0.55mm) |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | Low Profile |
| معدل الفشل: | - |
| وصف موسع: | 2.2µF ±10% 10V Ceramic Capacitor X6S 0805 (2012 Metric) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±10% |
| وصف: | CAP CER 2.2UF 10V X6S 0805 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCGB4B3X6S1A225K055AB
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار