CD40109BE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CD40109BE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CD40109BE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CD40109BE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CD40109BE
- رقم القطعة:
- CD40109BE
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 16DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47062 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CD40109BE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - فكب: | 3V ~ 18V |
| الجهد - فكا: | 3V ~ 18V |
| نوع المترجم: | Voltage Level |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-PDIP |
| سلسلة: | 4000B |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| نوع المخرجات: | Tri-State, Non-Inverted |
| إشارة الخرج: | - |
| اسماء اخرى: | 296-3505-5 CD40109BEE4 CD40109BEE4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| عدد الدوائر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| اشارة ادخال: | - |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | Voltage Level Translator Unidirectional 4 Circuit 1 Channel 16-PDIP |
| معدل البيانات: | - |
| القنوات لكل دائرة: | 1 |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Unidirectional |
| رقم جزء القاعدة: | 40109 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCD40109BE
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي