CD40107BM96 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CD40107BM96، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CD40107BM96 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CD40107BM96 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CD40107BM96
- رقم القطعة:
- CD40107BM96
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC GATE NAND 2CH 2-INP 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43454 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CD40107BM96.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 18 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | 4000B |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 296-31481-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 100ns @ 15V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 1.5 V ~ 4 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 3.5 V ~ 11 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Open Drain |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 2 Channel Open Drain 8-SOIC |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 4µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | -, 68mA |
| رقم جزء القاعدة: | 40107 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCD40107BM96
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي