BLS6G3135-120,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLS6G3135-120,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLS6G3135-120,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLS6G3135-120,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLS6G3135-120,112
- رقم القطعة:
- BLS6G3135-120,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27745 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLS6G3135-120,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 32V |
| الجهد - تقييمه: | 60V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 120W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT-502A |
| اسماء اخرى: | 934060063112 BLS6G3135-120 BLS6G3135-120-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 11dB |
| تردد: | 3.1GHz ~ 3.5GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 32V 100mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11dB 120W LDMOST |
| التصويت الحالي: | 7.2A |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| رقم جزء القاعدة: | BLS6G3135 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLS6G3135-120,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLS6G3135S-20,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608B | تحقيق |
 |
BLS7G2933S-150,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT9221 | تحقيق |
 |
BLS7G2730LS-200PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLS3135-65,114 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF POWER SOT422A | تحقيق |
 |
BLS6G2731P-200,117 | Ampleon | RF FET LDMOS 32V SOM038 | تحقيق |
 |
BLS7G2730L-200PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLS6G2735LS-30,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B | تحقيق |
|
BLS7G3135L-350P,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLS6G2731S-120,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLS7G2325L-105,112 | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A | تحقيق |
|
BLS6G2731-120,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A | تحقيق |
|
BLS7G2729L-350P,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A | تحقيق |
|
BLS6G2731S-130,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221 | تحقيق |
|
BLS6G2933P-200,117 | Ampleon | TRANS S-BAND PWR LDMOS SOM038 | تحقيق |
|
BLS6G2933S-130,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221 | تحقيق |
 |
BLS6G3135-20,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A | تحقيق |
|
BLS6G3135S-120,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B | تحقيق |
|
BLS7G2729LS-350P,1 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLS6G2735L-30,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A | تحقيق |
 |
BLS6G2731-6G,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل