العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLS6G2731-6G,112
BLS6G2731-6G,112
BLS6G2731-6G,112
رقم القطعة:
BLS6G2731-6G,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
35116 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.BLS6G2731-6G,112.pdf2.BLS6G2731-6G,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BLS6G2731-6G,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLS6G2731-6G,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLS6G2731-6G,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLS6G2731-6G,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - اختبار:32V
الجهد - تقييمه:60V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:CDFM2
سلسلة:-
مخرج قوي:6W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SOT-975C
اسماء اخرى:1603-1076
934061749112
BLS6G2731-6G,112-ND
الضوضاء الشكل:-
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
ربح:15dB
تردد:2.7GHz ~ 3.1GHz
وصف تفصيلي:RF Mosfet LDMOS 32V 25mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 15dB 6W CDFM2
التصويت الحالي:3.5A
الحالي - اختبار:25mA
رقم جزء القاعدة:BLS6G2731
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLS6G2731-6G,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLS6G3135S-120,112 Image BLS6G3135S-120,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B تحقيق
BLS3135-10,114 Image BLS3135-10,114 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF POWER SOT445C تحقيق
BLS6G3135-20,112 Image BLS6G3135-20,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A تحقيق
BLS3135-65,114 Image BLS3135-65,114 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF POWER SOT422A تحقيق
BLS6G3135-120,112 Image BLS6G3135-120,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A تحقيق
BLS3135-50,114 Image BLS3135-50,114 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF POWER SOT422A تحقيق
BLS6G2731P-200,117 Ampleon RF FET LDMOS 32V SOM038 تحقيق
BLS6G2735LS-30,112 Image BLS6G2735LS-30,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B تحقيق
BLS6G2731-120,112 Image BLS6G2731-120,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A تحقيق
BLS2731-110,114 Image BLS2731-110,114 Ampleon TRANSISTOR RF POWER SOT423A تحقيق
BLS3135-20,114 Image BLS3135-20,114 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF POWER SOT422A تحقيق
BLS2731-10,114 Image BLS2731-10,114 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF POWER SOT445C تحقيق
BLS2731-50,114 Image BLS2731-50,114 Ampleon TRANSISTOR RF POWER SOT422A تحقيق
BLS6G2933P-200,117 Ampleon TRANS S-BAND PWR LDMOS SOM038 تحقيق
BLS2731-20,114 Image BLS2731-20,114 Ampleon TRANSISTOR RF POWER SOT445C تحقيق
BLS6G2731S-130,112 Image BLS6G2731S-130,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221 تحقيق
BLS6G2933S-130,112 Image BLS6G2933S-130,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221 تحقيق
BLS2933-100,112 Image BLS2933-100,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 8DB SOT502A تحقيق
BLS6G2735L-30,112 Image BLS6G2735L-30,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A تحقيق
BLS6G2731S-120,112 Image BLS6G2731S-120,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B تحقيق

Latest الأخبار