BLP10H630PY متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLP10H630PY، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLP10H630PY عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLP10H630PY مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLP10H630PY
- رقم القطعة:
- BLP10H630PY
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF
- كمية المخزون:
- 25965 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLP10H630PY.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-HSOPF |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 30W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1223-2 |
| اسماء اخرى: | 934960003518 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 1GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 50V 20mA 1GHz 18dB 30W 4-HSOPF |
| التصويت الحالي: | 1.4µA |
| الحالي - اختبار: | 20mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP10H630PY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H660PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
 |
BLP10H603AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H690PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
 |
BLP10H6120PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
|
BLP25M710Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H690PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
|
BLP10H6120PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
 |
BLP15M7160PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232 | تحقيق |
|
BLP25M705Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP10H603Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H605Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H630PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
|
BLP10H610Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H660PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
 |
BLP7G07S-140P,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F | تحقيق |
|
BLP10H605AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H610AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP27M810Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | تحقيق |
 |
BLP05M7200Y | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1140 | تحقيق |
|
BLP35M805Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU