BLP10H6120PGY متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLP10H6120PGY، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLP10H6120PGY عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLP10H6120PGY مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLP10H6120PGY
- رقم القطعة:
- BLP10H6120PGY
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
- كمية المخزون:
- 46162 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLP10H6120PGY.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-HSOPF |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 120W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1224-2 |
| اسماء اخرى: | 934960013518 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 1GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 50V 80mA 1GHz 18dB 120W 4-HSOPF |
| التصويت الحالي: | 1.4µA |
| الحالي - اختبار: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP10H6120PGY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H610AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H603Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP10H660PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
|
BLP10H690PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
 |
BLP10H605AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP05H675XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | تحقيق |
 |
BLP15M7160PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232 | تحقيق |
 |
BLP10H660PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
 |
BLP05H6700XRY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V SOT1138-2 | تحقيق |
|
BLP05H675XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | تحقيق |
|
BLP10H603AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H690PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
 |
BLP05M7200Y | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1140 | تحقيق |
|
BLP10H610Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP25M710Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H630PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
|
BLP10H605Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H6120PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | تحقيق |
|
BLP25M705Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H630PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU