BLF8G22LS-140J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF8G22LS-140J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF8G22LS-140J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF8G22LS-140J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF8G22LS-140J
- رقم القطعة:
- BLF8G22LS-140J
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44156 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF8G22LS-140J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT502B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 33W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-502B |
| اسماء اخرى: | 934067454118 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 18.5dB |
| تردد: | 2.11GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.11GHz 18.5dB 33W SOT502B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 900mA |
| رقم جزء القاعدة: | BLF8G22 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF8G22LS-140J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G22LS-205VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-160BV,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-260A,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-200GV,12 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C | تحقيق |
|
BLF8G20LS-400PVQ | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS RF 400W LDMOS CDFM8 | تحقيق |
|
BLF8G20LS-260A,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PGVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C | تحقيق |
|
BLF8G22LS-205VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-140U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF8G22LS-160BV:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | تحقيق |
|
BLF8G22L-160BV,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR CDFM6 | تحقيق |
|
BLF8G22LS-200GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-200V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-400PGVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C | تحقيق |
|
BLF8G20LS-230VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-400PVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B | تحقيق |
|
BLF8G22L-160BV,112 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR CDFM6 | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-160BVX | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-200V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025