BLF8G22L-160BV,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF8G22L-160BV,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF8G22L-160BV,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF8G22L-160BV,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF8G22L-160BV,112
- رقم القطعة:
- BLF8G22L-160BV,112
- وصف:
- TRANSISTOR CDFM6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52029 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF8G22L-160BV,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| نوع الترانزستور: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | CDFM6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-1120B |
| اسماء اخرى: | 934065899112 BLF8G22L-160BV112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet CDFM6 |
| التصويت الحالي: | - |
| رقم جزء القاعدة: | BLF8G22 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF8G22L-160BV,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G22LS-160BV:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B | تحقيق |
|
BLF8G22L-160BV,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR CDFM6 | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PGVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C | تحقيق |
|
BLF8G22LS-160BV,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-400PVQ | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS RF 400W LDMOS CDFM8 | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-260A,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-200V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-140J | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-160BVX | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-230VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B | تحقيق |
|
BLF8G22LS-140U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-400PGVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C | تحقيق |
|
BLF8G20LS-220U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-200GV,12 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C | تحقيق |
|
BLF8G22LS-200GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C | تحقيق |
|
BLF8G20LS-230VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-400PVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-200V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-260A,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل