BLF8G20LS-200V متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF8G20LS-200V، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF8G20LS-200V عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF8G20LS-200V مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF8G20LS-200V
- رقم القطعة:
- BLF8G20LS-200V
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52544 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF8G20LS-200V.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 200W |
| حزمة / كيس: | SOT-1120B |
| اسماء اخرى: | 934066525134 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 17.5dB |
| تردد: | 1.8GHz ~ 2GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.8GHz ~ 2GHz 17.5dB 200W LDMOST |
| التصويت الحالي: | 4.2µA |
| الحالي - اختبار: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF8G20LS-200V
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G19LS-170BVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-200V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-140VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-220J | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-230VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-140GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-260A,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-200V,115 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-220U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PGVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-140VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-160VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B | تحقيق |
|
BLF8G10LS-300PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-230VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-260A,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-200V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-160VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B | تحقيق |
|
BLF8G19LS-170BV,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | تحقيق |
|
BLF8G10LS-300PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-140GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل