BLF8G19LS-170BV,11 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF8G19LS-170BV,11، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF8G19LS-170BV,11 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF8G19LS-170BV,11 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF8G19LS-170BV,11
- رقم القطعة:
- BLF8G19LS-170BV,11
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33472 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF8G19LS-170BV,11.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 32V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 60W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1120B |
| اسماء اخرى: | 934067169118 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 1.94GHz ~ 1.99GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 1.3A 1.94GHz ~ 1.99GHz 18dB 60W LDMOST |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF8G19LS-170BV,11
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G10LS-300PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-200V,115 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-160,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF8G10LS-270,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF8G10LS-270GV,12 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-200V | Ampleon | RF FET | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-140GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G10LS-270,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF8G10LS-300PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-200V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-160VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-160VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-140GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-140VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G19LS-170BVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G20LS-140VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G10LS-160,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025