BLF3G21-30,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF3G21-30,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF3G21-30,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF3G21-30,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF3G21-30,112
- رقم القطعة:
- BLF3G21-30,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49947 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF3G21-30,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 26V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT467C |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 30W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT467C |
| اسماء اخرى: | 568-2413 934057909112 BLF3G21-30 BLF3G21-30-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 13.5dB |
| تردد: | 2GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 26V 450mA 2GHz 13.5dB 30W SOT467C |
| التصويت الحالي: | 4.5A |
| الحالي - اختبار: | 450mA |
| رقم جزء القاعدة: | BLF3G21 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF3G21-30,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF246B,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 65V 19DB SOT161A | تحقيق |
 |
BLF278/01,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 | تحقيق |
 |
BLF3G22-30,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A | تحقيق |
 |
BLF25M612,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B | تحقيق |
 |
BLF25M612G,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | تحقيق |
 |
BLF3G21-6,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | تحقيق |
|
BLF3G21-6,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | تحقيق |
|
BLF368,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 65V 13.5DB SOT262A1 | تحقيق |
 |
BLF346,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 16DB SOT119A | تحقيق |
 |
BLF4G20-110B,112 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A | تحقيق |
|
BLF248,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 65V 11.5DB SOT262A1 | تحقيق |
 |
BLF4G20LS-110B,112 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | تحقيق |
 |
BLF25M612,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B | تحقيق |
|
BLF25M612G,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | تحقيق |
|
BLF3G22-30,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF4G10LS-160,112 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B | تحقيق |
 |
BLF4G10-160,112 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | تحقيق |
 |
BLF404,115 | Ampleon | RF FET NCHA 40V 11.5DB SOT409A | تحقيق |
|
BLF278,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 | تحقيق |
|
BLF4G10LS-120,112 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 960MHZ SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل