BLF278,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF278,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF278,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF278,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF278,112
- رقم القطعة:
- BLF278,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40057 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF278,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 125V |
| نوع الترانزستور: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | CDFM4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 300W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT-262A1 |
| اسماء اخرى: | 568-2412 933978520112 BLF278 BLF278-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 22dB |
| تردد: | 108MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 50V 100mA 108MHz 22dB 300W CDFM4 |
| التصويت الحالي: | 18A |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF278,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF3G22-30,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A | تحقيق |
 |
BLF248,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 65V 11.5DB SOT262A1 | تحقيق |
 |
BLF25M612G,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | تحقيق |
 |
BLF246,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 18DB SOT121B | تحقيق |
 |
BLF404,115 | Ampleon | RF FET NCHA 40V 11.5DB SOT409A | تحقيق |
 |
BLF25M612,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B | تحقيق |
|
BLF25M612G,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | تحقيق |
 |
BLF245,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 15.5DB SOT123A | تحقيق |
 |
BLF3G21-6,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF245B,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 65V 18DB SOT279A | تحقيق |
 |
BLF346,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 16DB SOT119A | تحقيق |
|
BLF244,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 17DB SOT123A | تحقيق |
|
BLF3G21-6,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF3G21-30,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF246B,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 65V 19DB SOT161A | تحقيق |
|
BLF278/01,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 | تحقيق |
 |
BLF25M612,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B | تحقيق |
 |
BLF4G10-160,112 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | تحقيق |
|
BLF368,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 65V 13.5DB SOT262A1 | تحقيق |
|
BLF3G22-30,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025