BLF10M6160U متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF10M6160U، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF10M6160U عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF10M6160U مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF10M6160U
- رقم القطعة:
- BLF10M6160U
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46455 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF10M6160U.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 32V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 32W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-502A |
| اسماء اخرى: | 934067993112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 22.5dB |
| تردد: | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 32V 1.2A 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 32W LDMOST |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF10M6160U
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF174XR,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A | تحقيق |
 |
BLF175,112 | Ampleon | RF FET NCHA 125V 20DB SOT123A | تحقيق |
 |
BLF0910H9LS600U | Ampleon | BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY | تحقيق |
 |
BLF10M6135U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF1721M8LS200U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF1046,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF0910H9LS600J | Ampleon | BLF0910H9LS600/SOT502/REEL | تحقيق |
|
BLF1046,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF10M6LS135U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF174XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B | تحقيق |
 |
BLF1043,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF0910H6LS500U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751 | تحقيق |
|
BLF10M6LS160U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF147,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 14DB SOT121B | تحقيق |
|
BLF1043,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF10H6600PU | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF145,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 27DB SOT123A | تحقيق |
 |
BLF10H6600PSU | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF10M6LS200U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF10M6200U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل