BLF0910H9LS600J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF0910H9LS600J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF0910H9LS600J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF0910H9LS600J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF0910H9LS600J
- رقم القطعة:
- BLF0910H9LS600J
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57740 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF0910H9LS600J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 108V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT502B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 600W |
| حزمة / كيس: | SOT-502B |
| اسماء اخرى: | 934960121118 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 18.6dB |
| تردد: | 900MHz ~ 930MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 50V 90mA 900MHz ~ 930MHz 18.6dB 600W SOT502B |
| التصويت الحالي: | 2.8µA |
| الحالي - اختبار: | 90mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF0910H9LS600J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF10M6160U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF02JD361GNEE | Murata Electronics | 360OHM40% (AT 700MHZ) 380MA RATE | تحقيق |
 |
BLF10M6LS135U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF1043,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
|
BLF02JD471GNEE | Murata Electronics | 470OHM40% (AT 700MHZ) 330MA RATE | تحقيق |
 |
BLF082 | Agastat Relays / TE Connectivity | FILTER LC 2UH/82PF SMD | تحقيق |
 |
BLF10H6600PSU | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF03JD421GZED | Murata Electronics | 420OHM40% (AT 700MHZ) 480MA RATE | تحقيق |
|
BLF10M6200U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF1043,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
|
BLF03JD421GNED | Murata Electronics | 420OHM40% (AT 700MHZ) 480MA RATE | تحقيق |
|
BLF02RD471GNEE | Murata Electronics | 470OHM40% (AT 2.4GHZ) 200MA RATE | تحقيق |
|
BLF02RD331GNEE | Murata Electronics | 330OHM40% (AT 2.4GHZ) 330MA RATE | تحقيق |
 |
BLF0910H6L500U | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A | تحقيق |
|
BLF0910H9LS600U | Ampleon | BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY | تحقيق |
 |
BLF10H6600PU | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF10M6135U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF0910H6LS500U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751 | تحقيق |
 |
BLF1046,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF1046,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل