APTDF200H120G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTDF200H120G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTDF200H120G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTDF200H120G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTDF200H120G
- رقم القطعة:
- APTDF200H120G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57884 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTDF200H120G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1.2kV |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 3V @ 200A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP6 |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف تفصيلي: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2kV Chassis Mount SP6 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 150µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 235A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTDF200H120G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTDF400AA100G | Microsemi | DIODE MODULE 1KV 500A SP6 | تحقيق |
 |
APTDC40H601G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | تحقيق |
|
APTDF100H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
 |
APTDF400AA170G | Microsemi | DIODE MODULE 1.7KV 480A SP6 | تحقيق |
|
APTDF30H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
|
APTDF30H601G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
 |
APTDF400AA120G | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 470A SP6 | تحقيق |
|
APTDF200H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTDF400AA20G | Microsemi | DIODE MODULE 200V 500A SP6 | تحقيق |
|
APTDF200H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTDF100H20G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTDC902U601G | Microsemi | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | تحقيق |
|
APTDF100H60G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTDF100H601G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
 |
APTDF200H60G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTDF100H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTDF200H20G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTDF400AA60G | Microsemi | DIODE MODULE 600V 500A SP6 | تحقيق |
|
APTDF100H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTDF100H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل