APTDC902U601G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTDC902U601G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTDC902U601G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTDC902U601G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTDC902U601G
- رقم القطعة:
- APTDC902U601G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE MODULE 600V 90A SP1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34561 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTDC902U601G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 90A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP1 |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP1 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| تكوين الصمام الثنائي: | 2 Independent |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 600V 90A Chassis Mount SP1 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1800µA @ 600V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 90A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTDC902U601G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTDC20H1201G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | تحقيق |
|
APTDF100H60G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
 |
APTCV60TLM99T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 | تحقيق |
|
APTDF100H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTCV60TLM70T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
 |
APTDC40H601G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | تحقيق |
|
APTDF100H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
 |
APTDC40H1201G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | تحقيق |
 |
APTCV90TL12T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 | تحقيق |
|
APTDF100H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
|
APTDC10H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 10A 600V SP1 | تحقيق |
 |
APTCV60TLM45T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT3 SP3 | تحقيق |
|
APTDF200H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTDC20H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | تحقيق |
|
APTDF200H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTDF100H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
|
APTDF200H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTDF100H601G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
 |
APTD3216P3C-P22 | Kingbright | 3.2X1.6MM PHOTOTRANSISTOR SMD LE | تحقيق |
|
APTDF100H20G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل