2SK0615 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2SK0615، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2SK0615 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2SK0615 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2SK0615
- رقم القطعة:
- 2SK0615
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 46913 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2SK0615.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | 20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | M-A1 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 3-SIP |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 45pF @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 80V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 80V 500mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole M-A1 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2SK0615
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK0664G0L | Panasonic | MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 | تحقيق |
 |
2SK1339-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P | تحقيق |
|
2SK06630RL | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK1340-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P | تحقيق |
|
2SK066500L | Panasonic | MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK1341-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P | تحقيق |
 |
2SK01980RL | Panasonic | JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 | تحقيق |
 |
2SK060100L | Panasonic | MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR | تحقيق |
|
2SK0601G0L | Panasonic | MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3 | تحقيق |
|
2SK11030QL | Panasonic | JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 | تحقيق |
|
2SK122800L | Panasonic | MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN | تحقيق |
|
2SK0665G0L | Panasonic | MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK1317-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P | تحقيق |
|
2SK0663GRL | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK066400L | Panasonic | MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK137400L | Panasonic | MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 | تحقيق |
 |
2SK1119(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB | تحقيق |
|
2SK06620RL | Panasonic | JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK1342-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P | تحقيق |
|
2SK1058-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM