2SK01980RL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2SK01980RL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2SK01980RL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2SK01980RL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2SK01980RL
- رقم القطعة:
- 2SK01980RL
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 30307 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2SK01980RL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد: | 100mV @ 10µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | Mini3-G1 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 150mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | 2SK01980RLTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 14pF @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | JFET N-Channel 20mA 150mW Surface Mount Mini3-G1 |
| الصرف الحالي (رقم) - الحد الأقصى: | 20mA |
| الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0): | 500µA @ 10V |
| رقم جزء القاعدة: | 2SK0198 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2SK01980RL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK1341-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P | تحقيق |
 |
2SK137400L | Panasonic | MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 | تحقيق |
 |
2SK0615 | Panasonic | MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP | تحقيق |
|
2SK0665G0L | Panasonic | MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 | تحقيق |
 |
2SK0601G0L | Panasonic | MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3 | تحقيق |
|
2SK1342-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P | تحقيق |
|
2SK0663GRL | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 | تحقيق |
 |
2SK1119(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB | تحقيق |
|
2SK06620RL | Panasonic | JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK060100L | Panasonic | MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR | تحقيق |
|
2SK0664G0L | Panasonic | MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK1058-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P | تحقيق |
 |
2SK122800L | Panasonic | MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN | تحقيق |
|
2SK066400L | Panasonic | MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK11030QL | Panasonic | JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 | تحقيق |
|
2SK06630RL | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK1340-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P | تحقيق |
|
2SK066500L | Panasonic | MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 | تحقيق |
|
2SK1317-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P | تحقيق |
|
2SK1339-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل