بطاقة خط

Initial State Technologies, Inc.

Initial State Technologies, Inc.

- الدولة الأولية هي عبارة عن منصة بيانات لإنترنت الأشياء (IoT). تسهل الحالة الأولية على أي شخص ، من المبتدئ إلى المؤسسة ، توصيل المستشعرات بالإنترنت ، وإرسال البيانات من تلك المستشعرات إلى السحابة حيث يمكن الوصول إلى هذه البيانات في أي وقت ، وتحويل تلك البيانات على الفور إلى شيء رائع - لوحات تفاعلية في الوقت الفعلي ، والرسوم البيانية والإحصاءات والإخطارات ، webhooks ، الخ. الدولة الأولية تركز على خلق تجربة رائعة من البيانات الفورية التي يتم إنشاؤها حتى لحظة يتم استهلاك البيانات. تأسست في عام 2012 ومقرها في ناشفيل ، TN ، Initial State هي شركة ناشئة مدعومة من قبل المستثمر.
صورة رقم القطعة وصف رأي
IRFR13N20DTRL MOSFET N-CH 200V 13A DPAK تحقيق
IRFR3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A DPAK تحقيق
IPC313N10N3RX7SA1 MV POWER MOS تحقيق
TLE49632MXTSA1 IC HALL EFFECT LATCH SOT23-3 تحقيق
IRF7324TRPBF Image IRF7324TRPBF MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC تحقيق
SAK-XC2287-56F66L AC IC MCU 16BIT 448KB FLASH 144LQFP تحقيق
IDH04G65C5XKSA1 Image IDH04G65C5XKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 تحقيق
IDH09G65C5XKSA1 Image IDH09G65C5XKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2 تحقيق
IDH03G65C5XKSA1 Image IDH03G65C5XKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 تحقيق
IDT16S60CHKSA1 DIODE SCHOTTKY 600V TO220-2 تحقيق
BAS3010B03WE6327HTSA1 Image BAS3010B03WE6327HTSA1 DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2 تحقيق
BSP315PH6327XTSA1 Image BSP315PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 تحقيق
BFR360FH6327XTSA1 Image BFR360FH6327XTSA1 TRANS RF NPN 6V 35MA TSFP-3 تحقيق
TLE92603QXV33XUMA1 Image TLE92603QXV33XUMA1 IC SBC 48VQFN تحقيق
BAS 3010S-02LRH E6327 Image BAS 3010S-02LRH E6327 DIODE SCHOTTKY 30V 1A TSLP-2 تحقيق
IKW50N65F5FKSA1 Image IKW50N65F5FKSA1 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 تحقيق
SPP20N60C3HKSA1 Image SPP20N60C3HKSA1 MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 تحقيق
IRFR13N20DTR MOSFET N-CH 200V 13A DPAK تحقيق
IRF6613TR1 Image IRF6613TR1 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT تحقيق
SLB9645VQ12FW13332XUMA2 SECURITY IC'S/AUTHENTICATION IC' تحقيق
IDT06S60CHKSA1 DIODE SCHOTTKY 600V TO220-2 تحقيق
IDH16G65C5XKSA1 Image IDH16G65C5XKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2 تحقيق
IR3628MTRPBF IC CTLR PWM BUCK SYNC 12-MLPD تحقيق
AUIRFS8407-7TRL Image AUIRFS8407-7TRL MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK تحقيق
IRLML2402GTRPBF Image IRLML2402GTRPBF MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3 تحقيق
IDH10G65C5ZXKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 تحقيق
TLE92603QXXUMA2 Image TLE92603QXXUMA2 IC SBC 48VQFN تحقيق
TLE7250GXUMA1 Image TLE7250GXUMA1 IC TXRX CAN HS 8-DSOP تحقيق
SLB9665TT20FW540XUMA2 SECURITY IC'S/AUTHENTICATION IC' تحقيق
IDC08S120EX1SA3 DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE تحقيق
SLS32AIA020A4USON10XTMA2 AUTHENTICATION تحقيق
IPP70N04S406AKSA1 Image IPP70N04S406AKSA1 MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 تحقيق
IDW40G65C5FKSA1 Image IDW40G65C5FKSA1 DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3 تحقيق
IRLML2803GTRPBF Image IRLML2803GTRPBF MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 تحقيق
BFS17PE6327HTSA1 TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 تحقيق
BSC028N06NSATMA1 Image BSC028N06NSATMA1 MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8 تحقيق
IR3088MTRPBF Image IR3088MTRPBF IC CTLR XPHASE 28-MLPQ تحقيق
SLF9630ID1XFSA1 TRANSPORT&TICKETING تحقيق
IDW50E60FKSA1 Image IDW50E60FKSA1 DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3 تحقيق
IRFR18N15DTR MOSFET N-CH 150V 18A DPAK تحقيق
IRFR1205TRR MOSFET N-CH 55V 44A DPAK تحقيق
سجلات 141
سابق123التالينهاية