IDW40G65C5FKSA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IDW40G65C5FKSA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IDW40G65C5FKSA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IDW40G65C5FKSA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IDW40G65C5FKSA1
- رقم القطعة:
- IDW40G65C5FKSA1
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40517 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IDW40G65C5FKSA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Silicon Carbide Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 40A (DC) |
| الجهد - انهيار: | PG-TO247-3 |
| سلسلة: | thinQ!™ |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 1140pF @ 1V, 1MHz |
| الاستقطاب: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | IDW40G65C5 IDW40G65C5-ND SP000969582 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 0ns |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IDW40G65C5FKSA1 |
| وصف موسع: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 40A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1.4mA @ 650V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.7V @ 40A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 650V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIDW40G65C5FKSA1
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار