Y1365V0205BA0R hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho Y1365V0205BA0R, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho Y1365V0205BA0R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua Y1365V0205BA0R với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
Y1365V0205BA0R
- Số Phần:
- Y1365V0205BA0R
- nhà chế tạo:
- Vishay Precision Group
- Sự miêu tả:
- RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC
- Tình trạng không có chì:
- Chứa chì / RoHS không tuân thủ
- Số lượng cổ phiếu:
- 28861 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- Y1365V0205BA0R.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Lòng khoan dung: | ±0.1% |
| Hệ số nhiệt độ: | ±2ppm/°C |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | - |
| Size / Kích thước: | 0.197" L x 0.157" W (5.00mm x 3.99mm) |
| Loạt: | SMN |
| Resistor-Ratio-Drift: | ±0.5 ppm/°C |
| Tỷ lệ phù hợp với điện trở: | ±0.05% |
| Kháng (Ohms): | 1k, 10k |
| Công suất mỗi phần tử: | 100mW |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 125°C |
| Số Điện trở: | 4 |
| Số Pins: | 8 |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 28 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.073" (1.86mm) |
| miêu tả cụ thể: | 1k, 10k Ohm ±0.1% 100mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±2ppm/°C 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Circuit Loại: | Isolated |
| Các ứng dụng: | - |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho Y1365V0205BA0R
Latest Tin tức
- Qorvo đã ra mắt sơ bộ 5G mmimo nổi bật của ngành công nghiệp
- Hàng tồn kho chu kỳ mô phỏng chạm đáy, AI điều khiển nhu cầu bộ nhớ flash tiếp tục
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC