VLS252015T-4R7MR89 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho VLS252015T-4R7MR89, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho VLS252015T-4R7MR89 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua VLS252015T-4R7MR89 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
VLS252015T-4R7MR89
- Số Phần:
- VLS252015T-4R7MR89
- nhà chế tạo:
- TDK Corporation
- Sự miêu tả:
- FIXED IND 4.7UH 890MA 318 MOHM
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 20956 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- VLS252015T-4R7MR89.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Kiểu: | Wirewound |
| Lòng khoan dung: | ±20% |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 1008 (2520 Metric) |
| Size / Kích thước: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| che chắn: | Shielded |
| Loạt: | VLS |
| xếp hạng: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Bao bì: | Cut Tape (CT) |
| Gói / Case: | 1008 (2520 Metric) |
| Vài cái tên khác: | 445-3679-1 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 105°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Vật liệu - Core: | - |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tần số cảm - Kiểm tra: | 1MHz |
| cảm: | 4.7µH |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Tần số - Tự Resonant: | - |
| miêu tả cụ thể: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 890mA 318 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 318 mOhm Max |
| Đánh giá hiện tại: | 890mA |
| Hiện tại - Saturation: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho VLS252015T-4R7MR89
Latest Tin tức
- Hàng tồn kho chu kỳ mô phỏng chạm đáy, AI điều khiển nhu cầu bộ nhớ flash tiếp tục
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC
- Moels Micro Electronics đã thành lập một văn phòng mới ở Đài Loan, Trung Quốc để mở rộng lãnh thổ kinh doanh