TC74VHC540FTELM hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho TC74VHC540FTELM, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TC74VHC540FTELM qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TC74VHC540FTELM với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
TC74VHC540FTELM
- Số Phần:
- TC74VHC540FTELM
- nhà chế tạo:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Sự miêu tả:
- IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 37541 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- TC74VHC540FTELM.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Voltage - Cung cấp: | 2 V ~ 5.5 V |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 20-TSSOP |
| Loạt: | TC74VHC |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Loại đầu ra: | 3-State |
| Vài cái tên khác: | 74VHC540FT(EL,M) 74VHC540FT(ELM)TR 74VHC540FT(ELM)TR-ND TC74VHC540FT (EL,M) TC74VHC540FT(EL) TC74VHC540FT(EL,M) TC74VHC540FT(ELM)TR TC74VHC540FT(ELM)TR-ND TC74VHC540FT-EL TC74VHC540FTELMTR TC74VHC540FTMTR TC74VHC540FTMTR-ND TC74VHC540FTTR TC74VHC540FTTR-ND |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Số Elements: | 1 |
| Số Bits mỗi phần tử: | 8 |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Loại logic: | Buffer, Inverting |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kiểu đầu vào: | - |
| miêu tả cụ thể: | Buffer, Inverting 1 Element 8 Bit per Element 3-State Output 20-TSSOP |
| Hiện tại - Đầu ra cao, thấp: | 8mA, 8mA |
| Số phần cơ sở: | 74VHC540 |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho TC74VHC540FTELM
Latest Tin tức
- Hàng tồn kho chu kỳ mô phỏng chạm đáy, AI điều khiển nhu cầu bộ nhớ flash tiếp tục
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC
- Moels Micro Electronics đã thành lập một văn phòng mới ở Đài Loan, Trung Quốc để mở rộng lãnh thổ kinh doanh