SUP50020E-GE3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SUP50020E-GE3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SUP50020E-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SUP50020E-GE3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
SUP50020E-GE3
- Số Phần:
- SUP50020E-GE3
- nhà chế tạo:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Sự miêu tả:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 35492 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- SUP50020E-GE3.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Tối đa): | ±20V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-220AB |
| Loạt: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 2.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Điện cực phân tán (Max): | 375W (Tc) |
| Bao bì: | Cut Tape (CT) |
| Gói / Case: | TO-220-3 |
| Vài cái tên khác: | SUP50020E-GE3CT SUP50020E-GE3CT-ND |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 128nC @ 10V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 7.5V, 10V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 60V |
| miêu tả cụ thể: | N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho SUP50020E-GE3
Latest Tin tức
- ARM xuất hiện trong Computex 2024: Dự kiến hơn 100 tỷ thiết bị ARM có thể được sử dụng cho AI vào cuối năm 2025
- Qorvo đã ra mắt sơ bộ 5G mmimo nổi bật của ngành công nghiệp
- Hàng tồn kho chu kỳ mô phỏng chạm đáy, AI điều khiển nhu cầu bộ nhớ flash tiếp tục
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm