SPP20N65C3HKSA1
SPP20N65C3HKSA1
Số Phần:
SPP20N65C3HKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
53306 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
SPP20N65C3HKSA1.pdf

Giới thiệu

SPP20N65C3HKSA1 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SPP20N65C3HKSA1, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPP20N65C3HKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPP20N65C3HKSA1 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO220-3-1
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:190 mOhm @ 13.1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):208W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:SP000014369
SPP20N65C3
SPP20N65C3-ND
SPP20N65C3IN
SPP20N65C3IN-ND
SPP20N65C3X
SPP20N65C3XK
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:114nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
miêu tả cụ thể:N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:20.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận